文章摘自:LED社区(https://ledlight.专注于大电流电感设计、制造:电话 :181-2638-2251/module/forum/thread-593316-1-1.html?1)
提高IGBT的导通效率往往需要付出代价:IGBT通常具备相对较高的开关损耗,这可降低应用开关频率。
面对众多的IGBT产品,选择的正确与否决定着你得到的电气性能和成本。
应该如何选型?八大步骤,轻松搞定。
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 是总线电压几百至上千伏的应用的理想之选。
作为少数载流子器件,IGBT在该电压范围内具备优于MOSFET的导通特性,同时拥有与MOSFET十分相似 的栅极结构,能实现轻松控制。
此外,由于无需采用集成式反向二极管,这使**商能够灵活地选择针对应用优化的快速“复合封装(co-pak)”二极管 (IGBT和二极管采用同一个封装),这与固有MOSFET二极管相反,固有MOSFET二极管的反向恢复电荷Qrr和反向恢复时间trr会随着额定电压 的升高而增大。
当然,导通效率的提高需要付出代价:IGBT通常具备相对较高的开关损耗,这可降低应用开关频率。
这二者之间的权衡以及其他应用和生产注意事项为数代 IGBT以及不同的子类器件的诞生创造了条件。
众多的产品使得在选型时采用严格的流程变得十分重要,因为这可对电气性能和成本产生重大影响。
IGBT的电压选择 以往用于110V至220V整流总线应用的IGBT的额定电压为600V,而用于三相380V 至440V整流总线应用的IGBT的额定电压为1200V。
IR还推出数量有限的900V IGBT。
近几年来,IR为扩大客户的选型范围,又推出了330V器件(通常不用于直接连接市电的应用)。
与MOSFET不同,IGBT无雪崩额定值,因此确保在最差条件下IGBT的电压低于击穿电压额定值十分重要。
在这种最差条件下,通常需要考虑以下几点: 采用最大线路输入电压的最大总线电压和最大总线过压(例如电机驱动应用的电气制动)IGBT采用最大开关速度(di/dt)、最大杂散电感和最小总线电容关断时的最大过冲电压最低的工作温度(由于击穿电压具备负温度系数) IGBT的短路安全工作区额定值(SCSOA选择) 这种特性指器件能够在一定时间内(单位:微秒)承受通过终端输入的最大总线电压,并能够安全关断。
在这种条件下,IGBT将会达到其饱和电流(取决于第几代器件和器件的电流额定值),并有效控制系统的电流,同时耗散大量功率。
尽管所有IGBT都具备内在的短路安全工作区(SOA)功能,但IGBT主要归类为短路电流额定器件,而不是非短路电流额定器件。
短路电流额定器件旨在限制饱和电流,从而限制功耗:这可导致与VCE(ON)实现平衡,如表1所示。
短路电流额定IGBT 如图3所示,当电机驱动逆变器输出发生短路时,需要采用这种类型器件。
IGBT需要能够承受足够长的时间,从而使保护电路安全关断器件。
对于大型工业驱动应用而言,逆变器输出端与电机之间的长电缆及其相关的寄生电容迫使设计人员增加保护电路的消隐时间,从而避免器件错误跳闸。
这反过来会提高对IGBT的要求。
业界已针对这种应用确定了10μs的标准额定值。
IR推出了一系列具备该额定值的器件。
在某些情况下,缩短保护电路的消隐时间是可能的,例如缩短电机直接安装在逆变器输出端上的集成式电机驱动器保护电路的消隐时间。
在这种情况下,优化器件是可能的。
IR推出了一系列具备5μs至6μs短路SOA额定值的低VCE(ON)器件。
非短路电流额定IGBT 在电源等应用中,IGBT与输出终端之间会装配一个电感器。
在这种情况下,输出终端出现短路会使输出电感器与直流总线实现串联,从而允许利用电感器控制电 流的上升速度(di/dt)(如图4所示)。
在这种情况下,IGBT本身未出现短路,因此其短路保护电路有充足的时间关断这些器件。
对IGBT取消这种要求,使IR能够推出一系列具备极低VCE(ON),用于焊接、UPS、太阳能和类似应用的非短路电流额定IGBT。
速度选择:关断行为 对于IGBT而言
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