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IGBT集成驱动模块的研究

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  典型应用图如图4所示。当驱动信号通过脚14和脚13时，经过高速光耦隔离，由M57962AL内置接口电路传输至功率放大极，在M57962AL的脚5产生+15V开栅和一10V关栅电压，驱动IGBT通断。当脚1检测到电压为7V时，模块认定电路短路，立即通过光耦输出关断信号，使脚5输出低电平，从而将IGBT的G—E两端置于负向偏置，可靠关断。同时，输出误差信号使故障输出端(脚8)为低电平，从而驱动外接的保护电路工作。延时2～3s后，若检测到脚13为高电平，则M57962AL恢复工作。稳压管DZ1用于防止D1击穿而损坏M57962AL，Rg为限流电阻，DZ2和DZ3起限幅作用，以确保可靠通断。

  

  比较：与EXB841相比，M57962AL需要双电源(+15V，一1OV)供电，外周电路复杂。而正是因为M57962AL可输出一10V的偏压模压电感，使得IGBT可靠地关断；另外，M57962AL具有过流保护自动闭锁功能，并且软关断时间可外部调节，而EXB84l的软关断时间无法调节。所以M57962AL较EXB841更安全、可靠。
  
  2.3 HL402模块的分析
  HL402是17脚单列直插式结构，内置有静电屏蔽层的高速光耦合器实现信号隔离，抗干扰能力强，响应速度快，隔离电压高。它具有对IGBT进行降栅压、软关断双重保护功能，在软关断及降栅压的同时能输出报警信号，实现封锁脉冲或分断主回路的保护。它输出驱动电压幅值高，正向驱动电压可达15～17V，负向偏置电压可达10～12V，因而可用来直接驱动容量为400A/600V及300A/1200V以下的IGBT。
  
  HL402结构图如图5所示。图5中，VL1为带静电屏蔽的光耦合器，它用来实现与输入信号的隔离。由于它具有静电屏蔽，因而显著提高了HL402抗共模干扰的能力。图5中U1为脉冲放大器，S1、S2实现驱动脉冲功率放大，U2为降栅压比较器，正常情况下由于脚9输入的IGBT集电极电压VCE不高于U2的基准电压VREF，U2不翻转，S3不导通，故从脚17和脚16输入的驱动脉冲信号经S2整形后不被封锁。该驱动脉冲经S2、S2放大后提供给IGBT使其导通或关断，一旦IGBT退饱和，则脚9输入集电极电压给IGBT使其导通或关断，并且脚9输入的集电极电压采样信号VCE高于U2的基准电压VREF，比较器U2翻转输出高电平，使S3导通，由稳压管DZ2将驱动器输出的栅极电压VGE降低到10V。此时，软关断定时器U3在降栅压比较器U2翻转达到设定的时间后，输出正电压使S4导通，将工字电感器栅极电压软关断降到IGBT的栅射极门限电压，给IGBT提供一个负的驱动电压，保证IGBT可靠关断。

  

  HL402典型应用图如图6所示。在实际电路中，C1、C2、C3、C4需尽可能地靠近H1402的脚2、脚l、脚4安装。为了避免高频耦合及电磁干扰，由HL402输出到被驱动IGBT栅射极的引线需要采用双绞线或同轴电缆屏蔽线，其引线长度不超过1m。脚9和脚13接至IGBT集电极的引线必须分开走，不得与栅极和发射极引线绞合，以免引起交叉干扰。光耦合器L1可输入脉冲封锁信号，当L1导通时，HLA02输出脉冲立即被封锁至-10V。光耦合器L2提供软关断报警信号，它在躯动器软关断的同时导通光耦合器L3，提供降栅压报警信号。使用中，通过调整电容器C5、C6、C7的值，可以将保护波形中的降栅压延迟时间、降栅压时间、软关断斜率时间调整至合适的值一体电感。在高频应用时，一体成型电感为了避免IGBT受到多次过电流冲击，可在光耦合器L2输出数次或1次报警信号后，将输入脚16和脚17间的信号封锁。

  

  小结：以上三者中，M57962AL和HL402都采用陶瓷基片黑色包装，EXB841采用覆铜板黄色包装，由于陶瓷基片的散热性能和频率特性比覆铜板好，HL402的负载能力和散热性能最好，加之合理的布局设计，在三者中的工作频率最高，保护功能最全，而EXB841和M57962AL都没有降栅压保护功能。另外，HL402和M57962AL提供负偏压的稳压管，放于外部，既有灵活性又提高了可靠性，而EXB841的稳压管在内部，经常因稳压管的损坏而失效。因此，HL402凭借其优越的性能可以弥补另外两者的缺陷。
  
  2．4 GH-039模块的分析
  GH-039采电感镇流器用单列直插式12脚封装，功耗低、工作中发热很小，可以高密度使用它采用单电源工作，内置高速光耦合器，带有软关断过流保护电路，过流保护除闭锁自身输出外，还给出供用户使用的同步输出端。它可以用来直接驱动300A/600V以下的IGBT模块。

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