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LDO烧毁
发布时间:2022-02-15 阅读：次 [打印文章] [关闭窗口]按照附件电路图，接通12V电源后LDO烧毁，而缓慢升至12V后，LDO正常工作，请问是过压还是过流造成的？有什么解决办法没？(LDO输入电压为2-16V，电流可打150MA，这里是将12V的输入电压变成5V）
接通12V电源后LDO烧毁，而缓慢升至12V后，LDO正常工作
这句话本身就有问题既然烧毁了怎么又好了？
我是说同一个电路，我做了几块板子，分别实验的结果
楼主的意思是，用直流电源缓慢把输入电压升到12V，LDO可以工作，直接加12V电压，LDO就挂掉！
2楼已经给出了原因，这里用耐压16V的余量太小了，要改用耐压24V以上的，比如SGM2203、HT7550之类。
当然这里能否用LDO是要看负载电流的，高压LDO一般就是用于负载电流小的应用
nieweicashh发表于2015-12-2113:07
楼主，这个是插入瞬间毛刺电压击穿LDO12V到5V压差7V电流150ma功耗就1.05WLDO如果封装小...
实际正常工作的电流不到1MA,150MA是通过LDO的最大电流，必须用LDO，有什么好办法没
本帖最后由霍宁初心于2015-12-2113:55编辑
yanwen217发表于2015-12-2113:49
楼主的意思是，用直流电源缓慢把输入电压升到12V，LDO可以工作，直接加12V电压，LDO就挂掉！
2楼已经给出了...
我的负载电流在1MA以下，烧毁是由于瞬态过电压吗？很浪涌电流有关吗？对于这个电路图有什么改进的办法没？
霍宁初心发表于2015-12-2113:53
我的负载电流在1MA以下，烧毁是由于瞬态过电压吗？很浪涌电流有关吗？对于这个电路图有什么改进的办法没？...
负载电流1mA以内，用这种高压LDO是很合适的，换用高耐压的吧
2.2uF的电容太大？
LDO输入端加电容，10uF/25V以上的电解，电容前面可以考虑再并一个TVS
亲，你这输入输出压差也太大了，不烧坏才怪，你先Google下LDO是什么，用在什么场景下吧
电源输入端加个10uf电容和0.01uf电容试试，TVS什么的应该不用了，只是瞬间峰值而已。
:loveliness:
可以用示波器检测下瞬间峰值是多少，再看怎么处理？处理的办法就是按照上面各位说的：方法一输入端加电容；方法二换LDO，你的负载只有1mA，所以用7150就可以了，普通的如TX7150，瞬间峰值可以耐到24V；高压的如HT7150，瞬间峰值可以耐到30V；方法三就是加TVS管；
7805哭晕在厕所。
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一般的LDO耐压很低，直流电源上电来个过冲就完了，既然你压差那么大，电流那么小，直接用7805啊，78M05、78L05也行，要想精度高就直接上TL431并联稳压。
建议用TL431搭
LDO的功率管一般都是PNP或者P-MOSFET类的，刚上电时候处于导通状态，LZ在前面串个限流电阻啦~~
输入前级没有加电容
cliffboy发表于2015-12-2117:33
亲，你这输入输出压差也太大了，不烧坏才怪，你先Google下LDO是什么，用在什么场景下吧...
压差不大啊，规格书显示是可以的，再说我的电源输出电流我测试工，很小的，不到1ma
hello_king发表于2015-12-2119:28
可以用示波器检测下瞬间峰值是多少，再看怎么处理？处理的办法就是按照上面各位说的：方法一输入端加电容...
我的LDO输出精度要达到1%，LDO是给下面的处理芯片供电，芯片的供电电压是5V，工作电流在1MA以下，而且整个电路要能耐受住电源正负极反接，10uf电容已经是电解电容了，不能反接
LearningASM发表于2015-12-2208:53
LDO的功率管一般都是PNP或者P-MOSFET类的，刚上电时候处于导通状态，LZ在前面串个限流电阻啦~~...
加多大呢
电源输入端加个10uf电容和0.01uf电容试试
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