2 VLDO的设计原理
VLDO的设计原理如图4所示,典型产品为Analogic TECH公司的AAT3200。VLD0的最大特点是采用P沟道功率场效应管MOSFET来代替PNP型功率管作为调整管,MOSFET本身还带保护二极管(VD)。P沟道MOSFET属于电压控制型器件,其栅极驱动电流板小,而通态电阻非常低,通态压降远低于双极性晶体管的饱和压降,模压电感这不仅能大大降低输入-输出压差,还能在微封装下输出更大的电流。图4中还给出了内部过电流及过热保护电路,RS为电流检测电阻。
一种改进型VLDO的设计原理如图5所示。其主要特点是增加了输工字电感器出状态自检(POK)、延迟供电、电源关断等功能。POK(Power OK)是表示“电源正常”的信号。一旦输出电压降低到使采样电压低于9l%UREF时,比较器就输出高电平,经过l ms的延迟时间强迫POK MOSFET导通一体电感,从POK端输出低电平(表示电源电压过低),送至微处理器电感生产。当输出电压恢复正F常叫,比较器输出低电平,令POK MOSFET截止,POK端输出为高电平,以此表示电源正常。POK MOSFET采用开漏极输出结构,外部需经过lO kΩ~l MΩ的上拉电阻接U0端。不用POK端时可接地或悬空。EN为使能控制端,当EN端接低电半时将电源关断。LDO进入休眠状态,此时POK端呈高阻态。利用延迟电路能避免因干扰而造成的误动作。
3 几种线性稳压器的性能比较
几种线性稳压器的性能比较见表l。
4 LDO的性能测试
为了说明低压差稳压器的优良特性,现将LM2930与普电感器厂家通三端稳压器7805作一对比性试验,二者的标称稳压值均为5v。稳压器的输入电压取自HT-1714C型多路直流稳压电源。稳压器的输出端接上假负载R1,使输出电流I0=100mA。输出电压U0用DT860型数字万用表测量。测量数据以及汁算出的压差值(U1-U0)、稳压电源的效率(η)一并列入表2及表3中。由表2及表3可见,当U1>5.20V时,LM2930即可正常稳压,稳压值U0=5.16v;当u1=5.20V时的压差仅为0.04 V,U1=5.50V时为0.34V,均低于O 6V。7805则不然,其压差必须大于2V(实际使用时应在4V以上),才能正常稳压,稳压值U0=4.98V。
工型电感
5 结语
不难看出,选择低压差稳压器能显著提高线性集成稳压电源的效率。
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