其次,陶瓷旁路电容一般是该值的十分之一。当采用相同的电压源对灵敏的控制电路进行供电时,良好的习惯是:在供电线路上串联数欧姆的电阻,把驱动器部分和控制部分隔离开来。
在驱动同步整流器时,驱动器和功率开关之间的串联栅极电阻往往被忽略,但在实际中常常使用2到20欧姆的这样一个电阻,原因有三:第一,可抑制功率开关栅极电容和栅极驱动回路漏电感之间的振铃电流,如图3所示,因为过多的振铃电流会增加EMI,并因快速切换开关而增加损耗。其次,可减慢开关速度,从而降低EMI,不过会导致更高的开关损耗。第三个可能的原因是,使用一个串联栅极驱动电阻可以把驱动器的栅极驱动损耗部分转移到该外接电阻上,而总的栅极驱动损耗保持不变。
对于具有控制良好的输入阈值的驱动器IC,可以利用串联电阻外加驱动器输入端的小接地电容,在控制路径上插入固定延时。如图4所示,在增电感器生产厂家加栅极驱动变压器和若干其它元件之后,低端驱动器还可以用于驱动高端(浮动)开关,作为高压驱动器IC的一种替代方案。这么做的主要原因是,越过隔离边界,缩短传播延迟,实现更稳健的驱动电路。
热设计
由于驱动器IC的功耗相当显著,故应该关注热设计问题。这是一个两步过程:首先估算驱动器的功耗,然后计算结温,确保其在设计限制范围内。对于这里讨论的简单栅极驱动电路(控制驱动和非谐振),与功率MOSFET或IGBT每周期开/关有关的总栅极驱动损耗可从开关的资料表给出的总栅极电荷曲线求得,即读取对应所选栅极驱动电压VDD的总栅极电荷Qg,然后按下式计算:
这一功耗与串联栅极驱动电阻的值无关,但会影响与驱动电路的其它串联电阻相比驱动器IC所消耗的功率。事实上,驱动器IC功耗所占比例正好是它的有效输出阻抗与驱动回路中所有阻抗总和之比,该值在导通和关断时不同。要进行计算,估算驱动器的有效输出阻抗的最简单方法是:电源电压的一半除以稳态源或二分之一电源插件电感器电压下的输出钳位吸入电流。其它应该计入内的回路电阻还有共模电感器开关的外部和内部串联栅极电阻,大容量旁路电容的ESR。因为这些电阻中有部分无法精确获知,按照(7)求得的总栅极驱动功耗可以作为驱动器IC功耗的上限,或者计算值可以使用部分经验值。
一旦确定了驱动器IC的功耗,资料表提供的无论何种热参数都应用来估算最大结温。结环热阻θJA 是最常用的参数,但很遗憾它只在某些指定热设计中很精确,比如PCB构建、散热和气流。在无顶部散热器的低气流中,大部分功耗集聚在PCB中。这时,如果结到引脚或结到电路板的热阻给定,且若设计限制了PCB的最大工作温度,假设引脚温度等于最大板温,则可求出工作结温的上限:
若结温过高,重新选择改进估算,提供更冷却或选择阻抗更低的驱动器。驱动器供应商要获得更好的结果(以及资料表提供的某些热参数)磁环电感,对封装和热环境进行有限元分析是一种好方法。
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