2.2 数据总线扩展电路设计
由于系统采用了双口RAM作为DSP和CH365之间数据传输的缓冲芯片,而TMS320F2812的地址总线为19位,IDT7025为13位,CH365为16位,因此,把IDT7025的13位地址线A[O..12]分别与DSP的地址线XA[O..12]和CH365的地址线A[O..12]相连,并将CH365的地址线A0用作数据总线扩展的使能信号。
TMS320F2812与IDT7025的数据宽度皆为1大电流电感6位,由于TMS320F2812的I功率电感器/O电源为3.3 V,IDT7025的电源为5 V,因此二者数据线之间需要连接一个电压转化芯片SN74LVTHl6245,并通过XR/W信号控制数据传递的方向;而CH365的数据宽度为8位,为使其与16位双口RAM正常通信,系统利用CPLD对CH365的数据总线进行了扩展。CPLD芯片选用A1tera公司生产的EPM7064,通过CH365地址线A0的使能对16位数据进行分时读/写,从而解决了数据总线的扩展问题。其内部逻辑电路如图3所示,其中主要包括2个锁存器(74373b),和2个三态门缓冲器(74541b)。
CH365支持PC机以单字节、双字节(字)、四字节(双字)为单位对I/O端口或存储器进行读/写。在多字节连续读/写操作期间,CH365每读完一个字节数据后,就会自动将偏移地址加1,以指向下一字节的偏移地址。在本系统中,将16位数据的读/写转化为8位数据(1字节)的分时读/写。CH365读取双口RAM数据时,首先CH365_A0为低电平,低8位数据通过三态门U3直接读入到CH365中,高8位数据锁存到锁存器U4中;然后偏移地址自动加1,CH365_A0为高电平,高8位数据由锁存器U4读入CH365。CH365向双口RAM写入数据时,首先CH365_A0为低电平,锁存器U1使能信号G高电平有效,三态门U2无效(GN2为高电平),低8位写入锁存器;然后偏移地址加1,CH365_A0为高电平,三态门U2使能信号有效,高8位数据直接写入双口RAM,同时低8位数据通过锁存器U1写入双口RAM(OEN为低电平)。
工字电感 对上述逻辑关系用“MAX+PLUS”进行仿真后,得到图4所示的时序。图中RAM_DD和CH365_DD表示仿真结果,从图中可知仿真结果完全符合设计要求。由此可见,利用最低地址位CH365_A0的不同电平,CH功率电感器365通过两次连续的读或写操作,成功地实现了对双口RAM中16位数据的读/写,并且数据的读/写时序完全符合CH365的读/写时序,可以方便地进行软件编程。
3 上/下位机通信软件设计
在硬件电路实现之后,把完成的板卡插于PC机的PCI插槽,上电后根据系统提示安装CH365驱动程序,在正确安装好硬件之后,利用API函数,就可以在VC环境下编写和调试PCI和DSP的通信软件了。
由上述可知,双口RAM的高4 KB空间用于PC机向DSP下载数据,如果数据大于4 KB,则存在着一次不能够把全部数据下载到DSP中的问题。因此,采取了向双口RAM中循环写入数据的办法,即PC机向双口RAM一次只写入4 KB数据,接着向DSP申请中断。DSP响应中断一次性将4 KB数据复制到DSP其他大容量存储空间(如扩展SRAM)中,然后释放双口RAM空间。此时PC机便可再写入4 KB数据,如此循环往复,直到将所有数据都写入DSP中。部分代码如下:
数据反馈功能主要是通过CH365响应DSP中断来实现的。DSP程序将数据写入双口RAM低4 K电感器命名B空间后向CH365申请中断,CH365响应中断将数据反馈到PC并显示到人机界面。中断函数部分代码如下:
结 语
随着计算机技术和电子技术的发展,将运算高速、功能强大的数字信号处理器应用于运动控制,可以实现复杂的控制算法和实现高精度、高速度、多轴联动,在数控应用中,将会占据越来越重要的地位。而快速准确的通信又是这种运动控制器的基础。本文介绍的通信方式,具有性能可靠,硬件结构简单,价格便宜的优点,具有较好的应用前景。
继电器消除高压噪声 一个简单的继电器电路消除扫描式电子显微镜的双级制动器中噪声。大多数实验室和工业环境中存在全频率下有多种电子噪声源,主要来自重型设备、器械、能量源和显示器。工程师使用过许多简单设备和技术来处理这种噪声
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IR2101驱动MOSFET没有输出如图,在protues中仿真测试IR2101驱动MOSFET,从波形来看,IR2101有输出,但是为什么MOSFET没有打开呢?最后的部分使用1N4007对220V的交流电进行整流后接到N-MOSFET上,求赐教,不胜感激