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[开关电源]【讨论】NMOS高端驱动自举电路问题

• 本帖最后由xiaoyi594于2016-2-2618:31编辑

  H桥的NMOSHighsidedrive需要自举电路，一般是diode+capacitor。

  几个问题请教，和大家讨论。

  谢谢！

  （1）Diode的正向电流能力ForwardCurrent如何计算/评估选型？

  （2）capacitor的耐压值如何确定？

  （3）自举电路的工作过程到底如何？

  以下图为例：

  问题（1）没思路，请教大家。

  问题（2）个人认为cap耐压大于Cboot的充电电压源VCC即可。

  但有些资料写的是

  问题（3）个人理解：假设控制脉冲为Low-High交替，占空比50%

  a.控制脉冲为Low时下管导通上管关断，Vs=0，Cboot经由diode充电到Vcc(忽略管压降)即VB=Vcc；

  b.控制脉冲为由Low变High时下管关断，此瞬间VB仍为Vcc，Vs=0(这个说法对么?)，上管的VGS压差大于阈值即可开通(但不能维持)，一旦上管开通，Vs电压等于(或略低于)功率电源电压VR，经由Cboot引起VB点电压被"自举"抬高为VCC+VR，故而在控制脉冲为高期间，HO脚输出高于VR，能够稳定维持上管开通。

  c.新的PWM周期开始，下管Vs再度为零，VB被重新充电到VCC。

  如此循环。

  若开关频率较快，对Diode的Trr参数要求会较高，一般用肖特基管。

  

  直接参考IR的应用笔记

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