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大功率LED制作方法
发布时间:2017-12-25 阅读：次 [打印文章] [关闭窗口]要想得到大功率LED器件，就必须制备合适的大功率LED芯片。国际上通常的制造大功率LED共模电感芯片的方法有如下几种：模压电感器
① 加大尺寸法。通过增大单体LED的有效发光面积和尺寸，促使流经TCL层的电流均匀分布，以达到预期的光通量。但是，简单地增大发光面积无法解决散热问题和出光问题，并不能达到预期的光通量和实际应用效果。
② 硅底板倒装法。首先制备出适合共晶焊接的大尺寸LED芯片，同时制备出相应尺寸的硅底板，并在硅底板上制作出供共晶焊接用的金导电层及引出导电层(超声金丝球焊点)，再利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与硅底板焊接在一起。这样的结构较为合理，既考虑了出光问题又考虑到了散热问题，这是目前主流的大功率LED的生产方式。
美国Lumileds公司于2001年研制出了AlGaInN功率型倒装芯片(FCLED)结构，其制造流程是：首先在外延片顶部的P型GaN上淀积厚度大于500A的NiAu层，用于欧姆接触和背反射;再采用掩模选择刻蚀掉P型层和多量子阱有源层，露出N型层;经淀积、刻蚀形成N型欧姆接触层，芯片尺寸为1mm×1mm，P型欧姆接触为正方形，N型欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小;然后将金属化凸点的AlGaInN芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(ESD)的硅载体上。
③ 陶瓷底板倒装法。先利用LED晶片通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在陶瓷底板上制作出共晶焊接导电层及引出导电层，然后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。这样的结构既考虑了出光问题也考虑到了散热问题，并且采用的陶瓷底工字电感器板为高导热陶瓷板，散热效果非常理想，价格又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。
④ 蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后，将蓝宝石衬底切除，再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构大电流电感的大尺寸蓝光LED芯片。
⑤ AlGaInN碳化硅(SiC)背面出光法。美国Cree公司是全球唯一采用SiC衬底制造AlGaIn塑封电感器N超高亮度LED的厂家，几年来其生产的AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进，亮度不断提高。由于P型和N型电极分别位于芯片的底部和顶部，采用单引线键合，兼容性较好，使用方便，因而成为AlGaInN LED发展的另一主流产品。
DSP双模手机的小灵通网络优化分析本文中，我们主要讨论小灵通网络(PHS，P网)的优化和双模手机对小灵通网络的影响。无线网络优化包括终端、基站和核心网的优化，GSM(G网)和3G(C网，包括2G的IS-95)都有较完善的网络优化方案。
[充电器]两节18650串联放电，并联单个充电此模块（暂且称为电源系统）功能
充电：使用TP4056充电
过冲过放保护：DW01+8205A
单独的充电没有问题，但是在串联放电的时候出现问题。
希望各位大神提提意见。
以下
现象：
1、使用万TMS320F28335及其最小应用系统设计引言 TMS320F28335型数字信号处理器是TI公司的一款TMS320C28X系列浮点DSP控制器。与以往的定点DSP相比，该器件的精度高，成本低，功耗小，性能高，外设集成度高，数据以及程序存储量
