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新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B
发布时间:2016-06-23 阅读：次 [打印文章] [关闭窗口]- 摘要：SKHI22A/B是德国西门康（SEMIKRON）公司推出的一种新型的IGBT/MOSFET的驱动模块。文章介绍了SKHI22A/B的主要结构特点和功能，给出了它的具体应用电路。
关键词：IGBT；驱动模块 ；SKHI22A/B
１ 概述
ＳＫＨＩ系列驱动模块是德国西门康（ＳＥＭＩＫＲＯＮ）公司推出的一种新型ＩＧＢＴ／ＭＯＳＦＥＴ驱动模块。ＳＫＨＩ系列驱动模块差模电感主要有以下特点：
●仅需一个不需隔离的＋１５Ｖ电源供电?
●抗ｄＶ／ｄｔ能力可以达到７５ｋＶ／μｓ?
●控制电路和ＩＧＢＴ主电路之间的隔离电压可以达到４ｋＶ
●输出峰值电流可以达到３０Ａ?●同一桥臂上下开关管驱动信号具有互锁功能，可以防止两个开关管的贯穿导通?
●死区时间、ＶＣＥ的监控、ＲＧＯＮ／ＯＦＦ可以分别调节，因而可以对不同用户的特殊需求进行优化?
●可以输出差错信号以通知控制电感器生产系统?
●具有过流、欠压保护功能。
下面主要以ＳＫＨＩ２２Ａ为例，对ＳＫＨＩ系列驱动模块进行介绍。
２ 内部结构及原理
ＳＫＨＩ２２Ａ／Ｂ引脚功能排列如表１所列。图１所示是ＳＫＨＩ系列驱动器的内部电路原理图。
表1 SKHI22A的引脚功能引脚号 引脚名称 引脚说明 P14 GND/0V 相应输入信号的地 P13 Vs 电源+15V±4% P12 VIN1 上开关管的输入开关信号1，+5V逻辑（对于SKHI22A/21A为+15V逻辑） P11 FREE 空置 P10 ERROR 差错输出，低有效，集电极开路输出，最大为30V/15mA P9 TDT2 通过接地或接Vs数字调节桥臂上下开关管的死区时间 P8 VIN2 下管的输入开关信号1，+5V逻辑（对于SKHI22A/21A为+15V逻辑） P7 GND/0V 相应输入信号的地 S20 VCE1 接IGBT1的集电极（上开关管） S15 CCE1 通过外接RCE和CCE来调节参考电压 S14 GON1 接RON到IBGT1的基极 S13 GOFF1 接ROFF到IBGT1的基极smd电感器 S12 E1 接IGBT1的发射极（上开关管） S1 VCE2 接IGBT2的集电极（下开关管） S6 CCE2 通过外扫RCE和C功率电感器CE来调节参考电压 S7 电源架构 分比式功率近年电子及数据产业的发展及分布式供电系统的推广, DC-DC转换器的应用越来越广, 新的微处理器、记忆体、DSP及ASIC都趋向要求低电压、大电流供电。 面对新世代的电子器件和负载,电源业要面对重大的
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