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白光LED的发光效率及使用寿命问题
发布时间:2017-07-04 阅读：次 [打印文章] [关闭窗口]-
图7 GaInN 系 LED的量子效率与电流密度的关系
传统的白光LED都是将边长为200~350μm的正方形芯片封装成圆头柱外形，之后为了获得照明所需要的光束，再将已封装的多个白光LED组件排列成矩阵状。单纯以高输出功率为目的而特别开发出的面积比以往芯片大6~10倍，外形尺寸高达500μm~1mm的白光LED，虽然封装后可获得数百毫瓦（数十流明）的输出功率，但是加大芯片的共模电感器外形尺寸，反而使白光LED内部的光吸收比率增加、外部取光率降低。就以AlGaInP LED为例，芯片的外形尺寸从0.22mm×0.22mm加大为0.50mm×0.50mm后，外部取光率反而降低20%左右。如果改用TIP结构，内部多重反射的结果使得内部光吸收率降低，外部取光率则明显提高。GaInN LED 也有相同的效果。如何提高LED芯片的外部取光率是LED应用于一般照明领域的关键。此外一体电感器，高的热阻抗（150~200K/W）对高亮度输出相当不利一体成型电感器。LED内部量子效率对活性层温度的依存度极大，因此色环电感器除了低热阻抗封装技术之外，利用散热片排除活性层的热流成为今后研发的热点。
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