一般情况下,动态地址对齐方式可以自动适应和Avalon master端口宽度不同的器件,而同时保持地址增长的方式是以字节为单位增长的方式。匹配不同端口宽度的mater和slave时,可使用动态地址对齐方式来得到一个连续的存储器空间。而采用动态地址对齐方式需要连接字节使能信号工型电感。
静态地址对齐的地址增长单位是Avalon master的端口宽度,每次读写都只对应一次操作,但在匹配不同端口宽度的mater和slave时,地址不能自动调整。某些地址可能没有相应的物理实体和它对应。
2 Nios II系统中的紧耦合存储器
Nios II系统中的紧耦合存储器是旁路缓存的片上存储器,该存储器具有最好的存储器访问性能,能采用与其它存储器一样的方法为之分配代码和数据。图1是包括紧耦合存储器和其他外设的Nios II系统图。
SOPC Builder中的片上存储器是唯一能够与Nios II内核上的紧耦合主端口相连接的存储器,而且,该片上存储器必须配置为RAM,同时处理器上的紧耦合主端口也必须只与一个片上存储器从端口相连接。每个紧耦合主端口都可以通过紧耦合接口与紧耦合从端口进行连接,因此,需要一体成型电感器双端口存储器与紧耦合指令主端口进行连接。由于紧耦合指令主端口只能访问可执行代码,因此,双端口存储器的第二个存储器端口应当与处理器的数据端口相连,这样便于对数据的读/写操作。
在构建SOPC系统时,Nios II处理器需要选中Include tightly coupled instruction master pods以及Include tightly coupled data master pods,这样就可以添加处理器的紧耦合指令/数据主端口。片上存储器可选择SOPC Builder提供的onchip_memory,并在紧耦合指令存储器中设置其为双端口。当系统中的元件添加完成后,SOPC Builder会自动连接紧耦合指令/数据存储器的从端口和其他主端口,但是,这时候需要手动修改连接关系。tightly_coupled_instruction_memory的s1端口仅与处理器的紧耦合指令主端口相连接,而s2端口则可以作为一个Avalon从端口仅与处理器的Avalon数据主端口相连接,而tightly大功率电感贴片电感器_coupled_data_memory的sl端口仅连接到处理器的紧耦合数据主端口。Nios II处理器中紧耦合存储器的配置如图2所示。
紧耦合数据存储器中的数据可以通过设定数据单元大小后在.hex文件中进行初始化。SOPCBuilder编译成功后,可在Nios II IDE下编写测试代码,以便将初始化文件中的数据通过指向地址的指针读出。以下是部分测试代码:
3 FIFO接口的设计
Altera公司已将FIFO内嵌到FPGA中,用户可以根据不同的设计需求来使用。FIFO的基本单元是寄存器,作为存储器件,它的存储能力可由内部定义的存储寄存器的数量决定,一般以数据量的深度X为宽度形式来说明所采用的基本结构,它通常是双端口的存储器,其中一个端口用于写入数据,另一个端口用于读出数据。使用时可以同时对存储器的存储单元进行写入和读出操作,而且FIFO型的存储器不需要由地址来存取数据。它通常需要由另外的信号线(或标志)来标明存储器的状态。
SOPC Builder中没有相应的FIFO接口控制器,因此需要自己定义FIFO接口。可首先在Quartus II的界面中新建一个.bdf文件,在下拉菜单中选择MegaWizard Plug-InManager,在打开的选项中从altera提供的库中找到FIFO,并根据需要选择FIFO的深度及宽度,设定好参数后再添加在.bdf中。然后在Ouartus II工程中打开SOPC Builder,并在Create New Comlaonet打开创建元件向导,同时在Signals选项卡中添加端口信号。由于需要将紧耦合存储器中的数据写到FIFO中,因此,FIFO的接口信号有写使能addr和32位写数据接口writedata等,且时钟和处理器的时钟信号相同。FIFO作为外设存储器设备,其地址对齐方式一般选择动态地址对齐。通过实验验证FIFO的时序符合要求后,即可将紧耦合数据存储器中的数据写到FIFO。图3所示是将紧耦合数据存储器中的数据写人FIFO的时序验证。
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[变压器]谁能给我解释一下保险管后面的两个电阻本帖最后由梦幻泡影于2016-4-2818:10编辑
如图所示,保险丝后面的R7和R9是什么电阻?看不见图的Siderlee发表于2016-4-2815:40
看不见图的
已经刷新了给X电容放电用的,这么小的容
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