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利用低门限电压延长电池寿命技术
发布时间:2014-12-15 阅读：次 [打印文章] [关闭窗口]（图中文字：在额定RDS(on)和1.5V电压下，驱动电路不需要电平转换电路就能导通MOSFET）
图3，减小VGS(th)能够让驱动器用更低的输出电压使开铁芯电感器关导通，减少所需的电平转换电路
从以往的经验来看，我们需要一个不低于1.8V的阈值电压对所有功率MSOFE中阈值点的负温度系数进行补偿。如果器件工作在125℃的温度下（这在便携式应用是很可能出现的情况），现有的MOSFET设计不得不共模电感提高MOSFET的阈值电压，防止MOSFET发生自导通，因为即便所施加的VGS为0V，低阈值电压的MOSFET也可能发生自导通。
尤其是便携式设备和手机对多媒体功能的要求是永无止境的。设计者要尽力提供更强的数据处理能力，同时尽量满足下一代便携式设备的特殊电源需求。不过毫无电感器生产疑问的一点是，采用先进一体成型电感硅片工艺和封装技术的功率MOSFET将能够提供设计者所期望的电源效率、超小尺寸和低成本，把这些多媒体手机由设想变为现实。
TLE8201在车门模块中的应用TLE8201 TLE8201是一种用于车门模块的高度集成功率ASSP(专用标准产品)。其中包括用于驱动典型前车门应用中负载所必需的功率级，这些负载包括中央门锁、死锁或后视镜折叠、后视镜定位、后视镜加
[DCDC]同步整流buck电路中轻载时电流连续模式对于上下管都是MOSFET的buck电路，如果工作在强制的电流连续模式，轻载的时候由于电感电流的纹波会有反向电流产生：
下管导通的时候，电流反向，输出电容反向输出电流通过电感再通过MLM5021型开关电源控制器的原理与应用1 LM5021的引脚功能 ?XML:NAMESPACE PREFIX = O />LM5021采用SOP-8和DIP-8封装，引脚排列如图1所示，各个引脚的功能如下： COMP：PWM控制输入端，C
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