摘要:单片开关电源具有性价比高、外围电路简单、效率高、功耗低等显著特点,文中介绍了TNY256的性能特点、工作原理,并给出了TNY256的典型应用电路。
关键词:单片开关电源 TNY256 自动重启计数器 功率MOSFET
1 TNY256的性能特点
·内置自动重启电路,不需外接元件,一旦发生输出短路或控制环开路故障,可将占空比降低以保护芯片。
·在输入直流高压电路中,不需要使用瞬态电压抑制器构成的钳位保护电路,仅用简单的RC吸收回路即可衰减视频噪声。
·输入欠压检测电路仅需外接1只电阻,目的是在上电时将片内的功率MOSFET关断,直到直流输入电压VI达到欠压保护门限电压(100V)为止;正常工作后若VI突然降低,对芯片也能起到保护作用。
·开关频率抖动可降低电磁辐射。
·输入电压范围宽(85~265VAC或120~375VDC)且交、直流两用。效率高,265VAC输入时的空载功耗低于100mW。
·控制方式简单。采用开/关控制器来代替传统的PWM脉宽调制器对输出电压进行调节,开关控制器可等效为脉冲频率调制器(PFM),其调节速度更快,对纹波的抑制能力也更强。
·外围电路简单,可选功率电感器用低成本的外围元件。无论在启动时还是正常工作时,芯片所消耗的能量均由漏极电源提供,无需再加反馈绕组及相关电路,也不用回路补偿。
工字电感83;利用使能端可从部关断功率MOSFET,采用跳过时钟周期的方式来调节负载电压,并且在快速上电时输出电压无过冲现象,掉电时,功率MOSFET也不会出现频率倍增现象。
·高效、小功率输出,适合构成0~16W的小功率、低成本开关电源。
2 TNY256的封装及引脚功能
TNY256的三种封装形式如图1所示。该器件实际上只有4个有效引脚,D、S分别为功率MOSFET的漏极和源极;同时S也是控制电路的公共端。BP(BYPASS)为旁路端,该端与地(S极)间需接一只0.1μF的旁路电容器,通过漏极和内部电路产生5.8固定电感器价格V的电源电压给该芯片供电。EN/UV为使能/欠压端,正常工作时由此端控制内部功率MOS管的通断,当IEN≥50μA时,MOSFET关断,该端还可用于输入欠压检测,具体方法是将EN/UV端经一只2MΩ功率电感的电阻器接VI。
3 TNY256的工作原理
TNY256内含一个700V功率MOSFET开关管和一个电源控制器,与传统的PWM脉宽调制控制方式不同,该器件采用简单的开/关控制来调节输出电压使之稳定。TNY256的内部结构如图2所示,主要包括振荡器、使能输入、5.8V稳压器、BP脚欠压保护电路、过热保护电路、过流保护电路、自动重启动计数器、输入欠压检测电路、700V功率MOSFET。
3.1 振荡器
TNY256内部有完整的振荡电绕行电感路,无需外接阻容元件。内部振荡器的典型频率设为130kHz,振荡器将产生两个信号:一个是最大占空比信号DCMAX,另一个是时钟信号CLOCK,作为每个周期的起始信号。振荡器还具有频率抖动功能,频率抖动的典型值为5kHz,频率抖动的调制频率设为1kHz,以便最大限度地降低EMI。
3.2 使能输入
和EN/UV相连的使能输入电路包含一个低阻抗的源极输出器,设定其输出为1.5V。流过源极输出器的电流被限制为50μA,并有10μA的滞后特性。当从EN/UV引脚流出的电流超过50μA时,使能电路的输出端产生一个低电平将功率MOSFET关断。在每个时钟信号的上升沿(即每个周期的开始时刻),要对使能检测电路的输出进行取样,如为高电平,则功率MOSFET导通,如为低电平,则功率MOSFET截止。
[稳压电源](附图)开关三极管,BC极并联了个电阻,本帖最后由970253146于2016-3-3023:05编辑
想请问一下,这个三极管在这为什么要在BC极上接一个电阻。
这里的三极管是做开关管的,而不是放大。
而且是NPN管。
还没见过,开关管都
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