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TNY256型单片机开关电源及其应用
发布时间:2016-07-09 阅读：次 [打印文章] [关闭窗口]-
3．3 5.8V稳压器
该稳压器的输入端接MOSFET的漏极，输出端接0.1μF的旁路电容器CBP。当MOSFET截止时，5.8V稳压器对CBP充电,使VBP=5.8V，当MOSFET导通时，改由CBP上储存的电能向芯片供电，CBP除用来存储电能外，还兼有高频退耦的作用。
3．4 BP脚欠压保护电路当VI下降而导致BP脚电压低于5.1V时，功率MOSFET将被关断，起到输入欠压保护的作用。直到BP脚电压恢复到5.8V，MOSFET才能正常工作。
3．5 过热保护电路
芯片阈值结温设定为135℃，并有70℃的滞回特性，一旦芯片结温超过135℃，立即关断功率MOSFET，使芯片温度降低。
3．6 过流保护电路
当流过功率MOSFET中的电流超过极限电流ILIMTT时，该电路将关断功率MOSFET。
为了防止因初级电容器或次级超快恢复二极管在反向恢复时间内产生类峰电压，而造成功率MOSFET误关断，专门设置了前沿闭锁电路。它能在功率MOSFET则导通的短时间（tLED）内将过流比较器输出的尖峰电压封锁掉，可避免功率MOSFET在刚导通后又被类峰电压关断而产生误动作。
3．7 自动重启计数据
当电路发生输出过载、输出短路或控制环开路等故障时，TNY256进入自动重启工作状态。当EN/UV脚变为低电平时，内部计数器被复位。如在32ms内EN/UV脚没有变为低电平，在正常情况下功率MOSFET将会停止工作128ms(如在欠压情况下，它会一直停止工作直到欠压消除)。在故障没有排除之前，自动重启计数器将交替代功率MOSFET工作和不工作。
电感器原理图3．8 输入欠压检测电路
将一外接电阻器（2MΩ）连接在VI和EN/UV脚即可监视输入电压，在上电时将功率MOSFET关断，直到直流输入电压V1达到欠压保护阈值（100V）为止；正常工作后如VI突然降低，也会将功率MOSFET关断，起到保护作用。在自动重启状态下功率MOSFET将停止工作，此时哪存在欠压条件，自动重启动计数器将停止计数。
图3
如EN/UV脚未接外部电阻器，则输入欠压检测功能将被禁止。4 TNY256的典型应用
由TNY256组成的5.5W、9VDC电源适配器电路如图3所示，交流输入电压范围为85～265V。图中U2为光磁耦合器SFH615-2，U3为可调式并联精密稳压器TL431CLP，F1为保险丝电阻器。85～265V交流电经过D1～D4桥式整流和C1、C2滤波后，得到约300V的直流高压VI。鉴于在功率MOSFET关断瞬间，脉冲变压器的漏感会产生尖峰电压，因此，由电阻器R3、C3和超快恢复二极管D5（1N4937）组成的功率MOSFET漏极钳位保护电路，可有效抑制漏极上的反向峰值电压，从而保护TNY256内的功率MOSFET不受损坏。C3选用10000pF/1kV的高压陶瓷电容器。
次级电压通过D6、C6、C7、L3和C8整充滤波后，得到9V、0.6A的直流输出。D4采用MBR360的肖特基二极管。为了抑制初、次级之间的共模干扰，在初、次级的同名端还并联一只2200pF/2kV的高压陶瓷电容C5。输出电压由精密电阻R7、R8决定，电阻R9为TL431的限流电阻。
5 TNY256的使用注意事项
TNY256在中等负载或轻负载下工作时会跳过一些时钟周期，这容易使高频变压器产生音频噪声干扰。为减小此干扰，宜选磁通密度小于0.3T的磁芯材料。此外，最好用TVS二极管和陶瓷电容构成的漏极箝位保护电路来衰减视频噪声。
使用NTY256系列时推荐的一种印制板设计如图4所示。设计时需注意以下几点：
一体成型电感·连接输入滤波电容器、高频变压器初级如TNY256回路的覆铜面积应尽量小。
·DIP-8封装的TNY256系列电路是靠覆铜接地来散热的，图中打斜线的面积要足够大，确保散热良好。
[稳压电源](附图)开关三极管,BC极并联了个电阻,本帖最后由970253146于2016-3-3023:05编辑
想请问一下，这个三极管在这为什么要在BC极上接一个电阻。
这里的三极管是做开关管的，而不是放大。
而且是NPN管。
还没见过，开关管都利用DSL语言来实现MES系统建模平台 O 引言以往MES系统项目的开发都是各个项目独立地进行设计和开发，而这些项目中有一部分需求和功能有相同的地方，这样，就会在一定程度上造成重复劳动和资源浪费。为此，笔者将业务需求转化为模型，开发了一套
电池基电源管理系统设计 电池基系统广泛地应用在蜂窝电话、PDA游戏机、医疗仪器等领域。这些系统需要有效的电源管理以便使设备尺寸和电池寿命最佳化。 电池基电源管理系统包括电池和为系统提供电源的稳压电路。主要的设计目标包括：
