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电源架构 分比式功率
发布时间:2016-01-29 阅读：次 [打印文章] [关闭窗口]在niPOL前放置的大电容, 虽负责滤波及维持低阻抗, 但对负载旁路效果不大。 由于电感的位置不当,产生电流惯性,因此需要在输出加上大电容以保持稳定。
总的来说, IBA架构内存在固有的互相抵触的效应,它的根本原因可追索到基本的奥姆定律,只能在某些范围内折冲使用。 但对另一些应用,以上提到的缺点便浮现出来了。
分比式功率架构 (FPATM)
分比式功率架构把DC-DC转换器的功能重新编排; 并以晶片封装的元件差模电感来实现。 它的主要元件是预稳压模块(PRM)和电压转变模块(VTM)。PRM只有稳压功能, VTM具变压和隔离功能,PRM和VTM合起来,就能实现D电感器市场C-DC转换器的功能。 PRM可接受宽广的输入电压及把它转换为一个稳压的分比母线(Vf)传送到VTM。 VTM作为负载点转换器,把分比母线升压或 降压,提供隔离电压给负载。负载变化由反馈电路传到PRM,由PRM 调控分比电压,实现稳压。
跟分布式架构或中转母线架构不一样,模压电感 在分比式架构, 稳压功能由PRM提供, 可远离负载。VTM作为负载点的转换器, 它不需要提供稳压的功能, 可以无须靠近负载。 它只负责按K比值 “倍大电流” 或 “降低电压” (VOUT = Vf ? K),VTM可在整个转换周期传送电流,它的占空比是百份之一百。FPA以分比母线传输功率,可以较随意的选择电压,无须如前所述的IBA架构,因固有的冲突,中转电压只能选定在稍高于负载的电压,否则它的占空比将无法管理。
由于VTM负责在负载点变压,它的K比值最高可达到200,分比母线因此无须受负载电压限制,可设定在任何一点上,甚至可把分比母线设定跟电源电压相同。如图5, 负载电压是1V,分比母线可设定为48V,完全不受负载电压或PRM与VTM的距离影响,不需在输送损耗与转换损耗中折冲取舍。重点是FPA把变压的部份放在负载点,克服了IBA面对的难题,占空比可达100%。FPA的瞬变反应较IBA理想。如前述,IBA把电感器放在中转母线与负载之间,产生电流惯性。在FPA分比母线与负载之间没有电感器(图6),由于VTM不受电感惯性左右,可快速的反应负载变化。在分比母线的电容由于没有电感的阻隔,可对负载有效旁路,该电容相等于在负载加上1/K2倍电容值,这便无须在负载点加上大电容。图7清楚表示在FPA只需用上4uF的电容便可以取代IBA中的10000uF电容。
FPA的控制架构
PRM内的控制系统和辅助ASICs令PRM可以用不同的方法来控制VTM的输出电压。
本地闭环(图8)是最简单的方法。PRM感应它自己的输出电压,再调整及维持分比母线电压在一个常数。负载电压按VTM的输出阻抗的比例升降 (Vf K-IoutRout)。 一个PRM可同时连接多个VTM。
自适应闭环(图9)。由VTM把讯号传送给PRM,让PRM调整分比母线。以补偿VTM的输出阻抗。自适应闭环只需要在VTM与PRM之间接上简单、非隔离的一体电感反馈电路,它的稳压精度便可达+/-1%。
遥感闭环(电感厂家图10)把负载电压反馈到PRM。这方法的稳压精度最高可达+/-0.2%,但可能需要隔离反馈环路。PRM可连接多只VTM,其中一个VTM提供反馈讯号。
分比式功率架构,未来的电源架构
尽管IBA对于低电压应用,它仍然是有效及成本低的方案,但由于IBA有其固有的局限,在结构上互相冲突,它需要妥协折冲传输损耗与转换损耗,及牺牲瞬变反应。
反观FPA及VI晶片,没有了这些局限。VI晶片是非常灵活、高效的元件,它可以用在集中式、分布式和中转母线架构,工程师可即时提升系统的表现,大大缩小系统空间,改善瞬变、散热噪声等的问题。FPA及VI晶片,将是未来电源架构及元件的典范。
基于TOP227Y芯片的新型开关电源的设计摘要：介绍了一种采用TOP227Y智能集成芯片设计的开关电源。详细地介绍了该芯片的性能特点。根据TOP227Y的特性给出了该开关电源的设计方法，对外围电路的设计进行了详细的介绍，并给出了该开关电源的性
[稳压电源]TC962COE稳压输出问题;原理图如图所示：
但是看这个芯片的PDF写着输出最大电流能达到80ma，但是现在串一个一个1k的电阻上去，芯片就开始发出很大的“呲呲”声音了！~~~才15ma。
这是为啥呢？求解！
PDF如下：stm32的现状与前景怎么样？必要性？如何学? 针对嵌 本帖最后由 北洋水师 于 2016-3-13 15:47 编辑
如题,不太好的二本出来的毕业生(暂无考研意向),像各位业界道友求教,如何在毕业离校之前用STM32(电子技能)武装自己,
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