在仿真中,RPROG的值设置为3 kΩ,涓流充电电流为50 mA,恒流充电电流为500mA;SEL引脚接地电位,电池的最终充电电压为4.1V。由图3~图5中可以知,在各种工作条件下,充电器都能正常工作。在图4中充电的过程与温度的关系曲线中,当温度为125℃时,充电电流为零,这是由于芯片中的智能热调整温度Tc是105℃,智能热调整电路正常运行使芯片的充电电流在125℃时降至零,电池的电压一直维持在2.3 V。
2.2 充电器充电电流和智能热调整波形图
充电器充电电流和智电感厂家能热调整波形图如图6所示。由图7可知,当芯片的温度达到105℃附近时,智能热调整电路自动启动,减小充电电流。以降低芯片的功耗。
2.3 最坏情况下电池最终充电电压仿真数据
为确保即使在最坏情况下,锂离子电池最终充电电压达到要求,对全电路进行了电阻的所有corner RES_TT,RES_FF,RES_SS与MOSFET的所有cornerTT,FF,FS,SF,SS的交叉仿真,仿真后得到如表2和表3所示的电池最终充电电压的典型情况与最差情况。其中,表3是在基准电压2.485 V未进行微调情况下仿真得到的结果,表4是在对基准电压2.485 V微调后得到的仿真结果。
由表2、表3的仿真结果可知电池的最终充电电压的仿真结果符合设计要求其精度如下:
(1)VREF微调后,SEL=0或Vcc时,VBAT可控制在4.1 V或4.2(1±0.4%)V。
(2)VREF不进行微调时,S电感器厂家EL=0或VCC时,VBAT电感器价格可控制在工字电感4.1 V或4.2(1±0.8%)V。
3 结论
该芯片具有充电速度快、对电池保护功能强、低成本等特点,是较为实用的智能化锂电池充电器芯片。
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