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迎接太阳光伏能源的崭新黎明
发布时间:2014-11-28 阅读：次 [打印文章] [关闭窗口]
在更大的三相安装形式中，还有另外一种流行的拓扑结构，就是中性点钳位逆变器。它包扁平型电感括一个常规的IGBT逆变器桥，其每相都通过双向IGBT开关连接到中性点。这种拓扑通常需要高功率、耐压1200V的IGBT器件。
而另外一种拓扑结构的思想促进了电流源逆变器（如图4所示）的出现，它超越了前面所描述的电压源逆变器。这种拓扑结构的主要优点是不需要升压单元和输出功率到线路上的精细电压控制电路。
图4 电流源逆变器不需要升压电路和电压控制电路
IGBT器件结构朝着更薄的硅衬底和沟道型栅极器件发展（如图5所示）。具有很深n+缓冲和p+掺杂衬底（通孔类型）的基于EPI类型的早期器件已经被具有植入阳极（非通孔类型）的薄形、大体积晶圆和具有植入缓冲器和阳极的相对场截止薄型晶圆所代替。背面搀杂种类、退火条件和方法可以不同，而且包括扩散、快速热退火和激光退火等。为了使这种结构的器件正常工作，晶圆被做得很薄，甚至放在手里都会弯曲（如图5所示）。
图5 IGBT器件结构的发展趋势是更薄的硅衬底和采用沟道型栅极
最近十几年，常规600V MOSFET管已经逐渐被称之为超结点的一类MOSFET管所代替。它们通常在一个n型底层中由带有埋藏p型层的多个外延n型层合并到一起来形成p型列。SuperFET器件就属于这类。最近，一种更新的工艺流程在效率和功率密度方面提供了空前的性能。更深的沟道蚀刻和外延填充可以插件电感器制造出密度更高、电阻更低的FET管，称之为SupreMOS器件。
使用DC/DC转换器的太阳能发电系统可以利用中间电压40～200V器件所提出的最新概念。目前可以获得的器件的尺寸和导通电阻是常规沟道MOSFET管的一半。新技术使用充电平衡的方法来降低外延耗尽漂移区的电阻，以及一个屏蔽栅极来降低栅-漏电容，以此改善开关特性和降低损耗。
许多低于30kW的设计仍然使用可靠性高的分立晶体管，封装采用TO220和TO247形式，或类似形式的。然而，功率范围在10一体成型电感器0W～10kW之间、性能卓越的智能功率模块也已经面市，并且可以在很大程度上减少系统设计的复杂性。
在桥接逆变器拓扑中，绝大部分模块提供控制功率器件所必需的栅极电平升压驱动电路。转模封装（Transfer-mol电感器批发ded）的生产方法可以使太阳能设计工程师设计出高度更低、材料更少和成本更低的太阳能电池发电系统。
在新系统架构、控制方法和器件设计中的持续创新使得太阳能的利用效率更高。这些进步包括从全球政府部门对清洁能源的有力推动，使太阳能利用的前途真正变得光明。便携式智能驱动器让PCB布局更规整小型便携式电子系统一直在不断向前发展，诸如移动电话、PMP(个人媒体播放器)、DSC(数码相机)、DVC(数字摄像机)、PME(便携式医疗设备)和GPS(全球定位系统)，功能特性一代比一代丰富。随之而
基于AD9516的高速四通道时间交叉采样时钟的设计1 引言 随着数字信号处理的高速发展，模拟信号的处理已被数字化处理代替。但对数字系统分辨率的日益提高，作为模数转换系统的核心一A／D转换器，其精度和采样率也随之提高。但精度和采样率是一对矛盾体，很难同
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去耦电容用在放电电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器
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