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热插拔控制器的应用

• 3.1 合理选择外部元件

  N沟道MOSFET应选择具有低导通电阻（RDS（ON））的MOSFET,以使漏源之间在满负荷负载下具有较低的压差,从而降低MOSFET的功率损耗。如果RDS（ON）较大,输出电压会随板卡负载的变化而出现波动。表1列出了几种MOSFET的推荐型号,供设计参考。
  
  表1 MOSFET推荐型号：

  型 号	性能指标	厂 商	网 址
  IRF7413	11mΩ、8SO、30V	国际整流器公司	www.irf.com
  IRF7401	22mΩ、8SO、20V
  IRL3502S	6mΩ、D2PAK、20V
  MMSF3300	20mΩ、8SO、30V	摩托罗拉公司	www.mot-sps.com/ppd/
  MMSF5N02H	30mΩ、8SO、20V
  MTB60N05H	14mΩ、D2PAK、50V

  选择限流电阻（RSENSE）时,应保证所允许的最大工作电流在限流电阻上产生的压降高于低速比较器的过载电压门限（50mV）,通常过载电流设置为最大工功率电感器作电流的1.2～1.5倍。高速比较器的门限电压应为固定的220mV或50mV～4750mV之间调节,故障检测电流一般设置为过载电流门限的4倍。表2列出了几种RSENSE与限流电平所对应的值插件电感器：
  
  表2 限流电平与RSENSE：

  RSENSE（mΩ）	低速比较器过流检测门限（A）	快速比较器故障电流门限（A）
  10	5	5～75
  50	1	1～15
  100	0.5	0.5～7.5

  a.快速比较器门限的设置

  快速比较器故障检测门限由RTH确定,门限可调范围为50mV～750mV,对应的电阻值范围为5k～75kΩ,RTH（kΩ）=VTH.FC（mV）/10。注意,当200Ω<RTH<5kΩ时,高速比较器门限低于50mV,此时低速比较器操作失效,因此,不应选择200Ω～5kΩ范围内的RTH。

  b.启动时间设置

  图3中的CTON决定了MAX4273所允许的最大启动时间,默认值（CTON 引脚浮空）为μs,启动时间为tON(ms)=0.31xCTON(nF),选择CTON时应使tON足够大,以保证在启动时间内MOSFET具有足够的栅极驱动能力并使负载电容被完全充电。

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