图2 软起动时间和振荡器波形
软起动功能由在一个周期的时间Tss内完成,Tss是开关频率从Fstart减为Fmin的时间,这个特点详细的说明如下(参见图2)。
在软起动时间内,电流Iss给电容Css充电,通常由一个电压斜波送到跨导放大器,见图2。这样,此电压信号转变为电流信号,并衰减为I fsyart。因此,该电流驱动振荡器并在软起动期间设置频率为:
图3 振荡器电路
此处 Iosc=4*I R fmin。
Vc从峰值到振荡器低谷值约等于2.84V。
在正常工作下,计算振荡器近似频率值的关系式为:
近似程度取决于频率值,但是它仍旧大于从30Khz到100Khz的范围。(图4)
图4 频率特性
升压部分:
高电压部分工字电感器由升压电路获得,这种方法一般需要高压快速恢复二极管,用来给自举电容充电,在器件中本集成结构取得专利,用以取代外部二极管。它由高电压DMOS实现。用串入一个模压电感二极管的方法与低边驱动(LVG)实现同步驱动。为了驱动同步DMOS,其VS电压必须高于电源电压。这个电压由内部充电泵获得。串接入DMOS的二极管避免其不希望有的开或关,二极管的插入防止了任何电流从V boot端子流入VS,防止内部电容泵没有完全放电 时,电源会快速关断。自升压式驱动插入了一个电压降落于电容 C boot的重新充电时间内,(当进行低边驱动时),随着频率增加,外接功率MOS尺寸也要增加。它是Rds on上压降和二极管阈值电压的总和。低频时,这种压降很小,可以忽略。无论如何提高频率时必须计及。事实上,这个压降会减小驱动信号的幅度,并且可以有效的增加外部功率MOS的R ds on(取消也如此)。考虑到在谐振电源中流过的电流,MOS减小了所增加的开关频率,通常增加的R dson不是什么问题,因为其功率损耗是可以忽略的。此处Qg是外部功率 MOS的栅充电电荷,下面的方程式对计算升压驱动的压降是有用 的。
图5 升压驱动电路
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