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一种减少VDMOS寄生电容的新结构
发布时间:2017-02-18 阅读：次 [打印文章] [关闭窗口]
电源电路设计工程师使用这些信息扁平型电感设计驱动电路，并估汁器件性能。采用TCAD(ISE)对新型结构A进行了模拟，模拟结果如图4所示。
可以明模压电感器显看出新型结构A的栅电共模电感荷明显比一般结构的栅电荷贴片电感小很多，Qg定义为Vgs=12 V时栅上所一体成型电感存贮的电荷，新型结构A和一般VDMOS结构栅电荷分别为20．25 nC和30．57 nC，减小了33．67％。
4 结 语
本文提出一种减小VDMOS寄生电容，提高其动态特性的新结构。并用TC大功率电感贴片电感器AD(ISE)软件对其模拟。从模拟分析结果可看出，新型结构A与传统VDMOS相比，能有效减小反馈电容及栅电荷，提高VDMOS器件的开关速度，提高器件的动态性能。求锂电电源管理方案大神，
对锂电池（4.2V）充电，准备用TP4056。
因为电池是不带锂电保护芯片的，再求锂电保护电路方案。
感谢！
去年我也求过这个，未得。
精工S-8241（保护芯片）+AO8810（双MOS），构成电池包，即PAlm5117芯片软启动功能允许稳压器逐步达到稳态工作点，从而降低启动应力和浪涌。
LM5117可将SS引脚调节至FB引脚的电压或内部0.8V基准，以较低者为准。
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