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反激式(RCD)开关电源原理及设计
发布时间:2016-04-21 阅读：次 [打印文章] [关闭窗口]-
从图上可以看出只要初级电流和次级电流不同时为零，就是连续模式(CCM);
只要初级电流和次级电流同时为零，便是不连续模式(DCM);
介于这俩之间的是过度模式，也叫临界模式(CRM)。
以上说的都是理想情况，但实际应用中变压器是存在漏感的(漏感的能量是不会耦合到次级的)，MOS管也不是理想的开关，还有PCB板的布局及走线带来的杂散电感，使得MOS的Vds波形往往大于VIN+VF。类似于下图
这个图是一个48V入的反激电源。
从图上看到MOS的Vds有个很大的尖峰，我用的200V的MOS，尖峰到了196了。这是尖峰是由于漏感造成的，上边说到漏感的能量不能耦合到次级，那么MOS关断的时候，漏感电流也不能突变，所以会产生个很高的感应电动势，因无法耦合到次级，会产生个很高的电压尖峰，可能会超过MOS的耐压值而损坏MOS管，所以我们实际使用时会在初级加一个RCD吸收电路，把尖峰尽可能的吸到最低值，来确保MOS管工作在安全电压。具体RCD吸收电路图如下
简单分析下工作原理
1.当开关S开通时，二极管D反骗而截至。电感储存能量。
2当开关S关断时，电感电压反向，把漏感能量储存在C中，然后通过R释放掉。细心的朋友可能会发现，当开关关断的时候，这个RCD电路和次级的电路是一模一样的，D整流，C滤波。R相当于负载。只不过输出电压不是VO，而变成了次级反射到初级的电压VF。所以，注意了，R的值不能取得太小，太工字电感器小了损耗严重，影响效率。而且电阻的功率会变的很大!
下边来个加了RCD吸收的波形
关于RCD吸收的选取网上有很多文章，在以后我会介绍下!大家也可以看我的博客(只要在百度里搜老梁头的博客，就会出来。里边有一篇介绍RCD的)
原理先讲到这里吧，下边我讲下变压器的设计!
今天讲下变压器的设计方法!
变压器的设计方法有多种，个人感觉适合自己的才是最好的，选择一个你自己最熟悉的，能够理解的才是最好的!
我先介绍下一种设计方法：
1.先确定输入电压，一般是按照最低输入直流电压计算VINmin计算
A.要是直流输入按直流的最低输入来计算;
绕行电感B.要是输入为交流电，一般对于单相交流整流用电容滤波，直流电压不会超过交流输入电压有效值的1.4倍，也不低于1.2倍。
列如，全范围交流输入85-265VAC的电源，一般按85VAC时计算，那VINmin=85*1.2=102V，一般会取整数按100VDC计算。
2.确定导通时间Ton
导通时间Ton=T*D
T为周期 T=1/F
D为最大占空比，一般在最低输入电压的时候，D会最大，保证输出稳定。
注意大的占空比可以降低初级的电流有效值，和MOS的导通损耗，但是根据伏秒法则，初级占大功率电感贴片电感器空比大了，次级的肯定会小，那么次级的峰值电流会变大，电流有效值变大，会导致输出纹波变大!所以，一般单端反激拓扑的占空比选取不要超过0.5。
而且一般的电流控制模式，占空比大于0.5要加斜率补偿的，对调试是个难度。
还有一重要的是你的占空比决定你的匝比，匝比决定啥，嘿嘿，反射电压VF，忘了再去上边看下，模压电感再加上你漏感引起的尖峰，最终影响你MOS的耐压。占空比越小匝比越小，反射电压VF越低，MOS的电压应力小。反之MOS的电压应力大，所以占空比要考虑好了。要保证再最高电压下你的VDS电压在MOS的规定电压以下，最好是降额使用，流出足够的余量来!
列如，电源的开关频率为100K，最低输入时的最大占空比为0.4，那T=1/100000=10μS，那么Ton=0.4*10μS=4μS。
3.确定磁芯的有效面积AE
AE一般会在磁芯的资料中给出。
4.计算初级匝数NP
NP=VINmin*Ton/ΔB*AE
式中VINmin为直流最低输入电压;
Ton为导通时间
AE为磁芯的有效面积
ΔB为磁感应强度变化量，这个值和磁芯材质，及温升等有关，一般考经验来选取，在0.1-0.3之间，取得越大，余量越小，变压器在极端情况下越容易饱和!俺一般取0.2。
[开关电源]开关电源纹波在后级电路中的抑制方式如题，开关电源纹波在后级电路中的抑制方式有哪些，现在用一款电源适配，输出有100Khz100mV左右的干扰，好像也不算是纹波，像是一个脉冲，出现频率是100Khz，脉冲式100Mhz上图看看ternenc
有个关于稳压芯片的问题希望大伙给科普下如上图，为什么有些型号的稳压芯片这个引脚是地，有些又是电压输出呢。
感觉不太能理解为什么用这个引脚作为电压输出，因为对于贴片封装的电路铺铜网络又是GND的时候散热很是成铜版纸色调对印刷色彩表现性能的影响版纸生产过程中，原纸的浆料种类、配比以及涂布调色工艺的不同使得最终的纸张色调上有所差别，其中以偏蓝紫色和偏黄色最为常见，印刷色彩是纸张和油墨共同作用的结果，铜版纸色调差
