图1 MOSFET驱动器示例的电路框图
对于功率电感器同相驱动器,当输入信号变为高态时,Q1和Q2共同的栅极信号被拉低。该栅一体成型贴片电感极节工字电感点的电压从Vdd转变到GND所需的时间通常少于10ns。这种快速转变抑制了在Q1和Q2之间产生交越导通的时间,并且使Q1迅速地达到其完全增强态,以尽快实现峰值电流。除图1的示例外,还有其他的MOSFET驱动器电路结构。
当电机被驱动时,功率开关元件和栅极驱动电路是已知的,可以根据上面的公式(4)或公式(5)来选择MOSFET。
使用电子数据表选择MOSFET驱动器
当选定MOSFET后,可以使用由供应商提供的电子数据表来选择一个合适的MOSFET驱动器,这种便于使用的工具能快速地确定MOSFET驱动器所需峰值电流。
首先,选择一个MOSFET,并将它的数据手册放在手边。现在,在正确的框中填入输入条件的值,例如MOSFET的源漏电压(Vds)、MOSFET的栅源电压(Vgs)、MOSFET驱动器电压(Vdd)、开关频率、占空比、预估的上升时间(tr)和栅极总电荷(QG)。于是就能计算出MOSFET驱动器的峰值输出电流IPK。根据IP一体成型电感器K的电感厂家值就能确定合适的、具有成本效益的MOSFET驱动器。选定MOSFET驱动器后,工具能够计算出器件的功耗和允许的最大工作环境温度,此处假定热损耗不计。
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LZ这是自问自答呀
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知道了公司还不到官网下载???
www.alldatasheet.com这个用起来也不错。
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这个可以在仙童半导体公司的网站
单电池微控制器工作的优点目前市场上低电压、低耗电的微控制器(MCU)至少需要1.8V的工作电压,因此也至少需要两颗串联的碱性电池来工作。然而,现在Silicon Labs推出全新的微控制器系列仅需提供0.9V工作电压,一颗碱