摘要:介绍了一种能在全负载范围内实现零电压开关的改进型全桥移相ZVS-PWM DC/DC变换器。在分析其开关过程的基础上,得出了实现全负载范围内零电压开关一体电感的条件,并将其应用于一台48V/6V的DC/DC变换器。
关键词:全桥DC/DC变换器;零电压开关;死区时间
0 引言
移相控制的全桥PWM变换器是在中大功率DC/DC变换电路中最常用的电路拓扑形式之一。移相PWM控制方式利用开关管的结电容和高频变压器的漏电感作为谐振元件,使开关管达到零电压开通和关断。从而有效地降低了电路的开关损耗和开关噪声,减少了器件开关过程中产生的电磁干扰,为变换器提高开关频率、提高效率、降低尺寸及重量提供了良好的条件。同时保持了电路拓扑结构简洁、控制方式简单、开关频率恒定、元器件的电压和电流应力小等一系列优点。
移相控制的全桥PWM变换器存在一个主要缺点是,滞后臂开关管在轻载下难以实现零电压开关,使得它不适合负载范围变化大的场合[1]。电路不能实现零电压开关时,将产生以下几个后果:
1)由于开关损耗的存在,需要增加散热器的体积;
2)开关管开通时存在很大的di/dt,将会造成大的EMI;
3)由于副边二极管的反向恢复,高频变压器副边漏感上的电流瞬变作用,在二极管上产生电压过冲和振荡,所以,在实际应用中须在副边二极管上加入R-C吸收。
针对上述问题,常见的解决方法是在变压器原边串接一个饱和电感Ls,扩大变换器的零电压开关范围[2][3]。但是,采用这一方法后,电路仍不能达到全工作范围的零电压开关。而且,由于饱和电感在实际应用中不可能具有理想的饱和特性,这将会导致:
1)增加电路环流,从而增加变换器的导通损耗;
2)加重了副边电压占空比丢失,从而增加原边电流及副边二极管电压应力;
3)饱和电感以很高的频率在正负饱和值之间切换,磁芯的损耗会很大,发热严重。
改进型全桥移相ZVS-PWMDC/DC变换器是针对上述缺点所提电感生产出的一种电路拓扑[4][5][6]。它通过在电路中增加辅助支路,使开关管能在全部负载范围内达到零电压开关,它在小功率(<3kW)电路中具有明显的优越性。由于在移相控制的全桥PWM变换塑封电感器中,超前臂ZVS的实现相对比较简单,所以本文将不分析超前臂的开关过程,而着重分析滞后臂在增加了辅助支路以后的开关过程及其实现ZVS的条件。
1 改进型全桥移相ZVS-PWM DC/DC变换器
1.1 电路拓扑
图1所示是一种改进型全桥移相ZVS-PWM DC/DC变换器,与基本的全桥移相PWM变换器相比,它只在滞后臂增加了由电感Lrx及电容Crx两个元件组成的一个辅助支路。
图1 电路拓扑
在由Lrx及Crx组成的辅助谐振支路中,电容Crx足够大,其上电压VCrx应满足
VCrx≈Vin(1) 电感封装
工字电感则电感Lrx上得到的是一个占空比为50%的正负半周对称的交流方波电压,其幅值为Vin/2。电感上的电流峰值ILrx(max)为
ILrx(max)=(2)
混合印刷 一个新的发展动向近年来胶印的发展趋向对印刷史稍作追溯就会发现,上世纪60-70年 代,发生了以“冷”代“热”,即使用活字的铅版印 刷工艺被使用照排和制版工艺的平版印刷工 基于校园网的数字视频监控系统1 引 言高校作为社会的一个重要组成部分,安全稳定与否直接关系到社会的稳定,校园安全防范单靠人防、物防已经不能满足高校快速发展的需要,为了确保校园安全,提高安全防范的管理水平,必须建立校园监控系统。随 针对应用选择正确的MOSFET驱动器目前,现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多,这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。从功能上讲,MOSFET驱动器将逻辑信号转变成较高的电压和电流,以很短的响应时间驱动MOSFE