4) MOSFET
由于NCP1252是双开关正激转换器,故作为开关的功率MOSFET的最大电压限制为输入电压。通常漏极至源极击穿电压(BVDSS)施加了等于15%的降额因数,如果我们选择500 V的功率MOSFET,降额后的最大电压应该是:500 V x 0.85 = 425 V。我们选择的功率MOSFET是采用TO220封装的FDP16N50,其BVDSS为500 V,导通阻抗(RDS(on))为0.434 Ω(@Tj=110℃),总门电荷(QG)为45 nC,门极至漏极电荷(QGD)为14 nC。
MOSFET的导电损耗、开关导通损耗计算见等式(13)到(14):
(13)
(14)
其中,交迭时间(Δt)由下列等式计算得出:
(15)
MOSFET的开关关闭损耗见等式(16):
(16)
其中,交迭时间(Δt)由下列等式计算得出:
(17)
因此,MOSFET的总损耗为:
Plosses=Pcond+PSW,on+PSW,o电感器厂家ff=173+149+324=646 mW (18)
5) 二极管
次极二极管D1和D2维持相同的峰值反相电压(PIV),结合二极管降额因数(kD)为40%,可以计算出PIV,见等式(19):
(19)
由于PIV<100 V,故能够选择30 A、60 V、TO-220封装的肖特基电感器市场二极管MBRB30H60CT。
二极管导通时间期间的导电损耗为:
Pcond,forward=IoutVfDCmax=10x0.5x0.45=2.25 W (20)
关闭时间期间的导电损耗为:
Pcond,freewheel=IoutVf(1-DCmin)=10x0.5x(1-0.39) =3.05 W (21)
NCP1252应用设计:NCP1252元件计算
1) 用于选择开关频率的电阻Rt
采用一颗简单电阻,即可在50至500 kHz范围之间选择开关频率(FSW)。假定开关频率为125 kHz,那么我们就可以得到:
(22)
其中,VRt是Rt引脚上呈现的内部电压参考(2.2 V)。
2) 感测电阻
NCP1252的最大峰值电流感测电压达1 V。感测电阻(Rsense)以初级峰一体电感值电流的20%余量来计算,其中10%为励磁电流,10%为总公差:
(23)
(24)
3) 斜坡补偿
斜坡补偿旨在防止频率为开关频率一半时出现次斜坡振荡,这时转换器工作在CCM,占空比接近或高于50%。由于是正激拓扑结构,重要的是考虑由励磁电厂所致的自然补偿。根据所要求的斜坡补偿(通常为50%至100%),仅能够外部增加斜坡补偿与自然补偿之间的差值。
目标斜坡补偿等级为100%。相关计算等式如下:
内部斜坡:
(25)
初级自然斜坡:
(26)
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